基于CMOS工艺的射频IC前端存在广阔的市场，具有良好的应用前景，是目前无线通信研究中的热点。CMOS射频无线接收前端电路由发射和接收模块组成，其中低噪声放大器是射频接收模块的关键部分。 在CMOS射频低噪声放大器的设计中还存在着一系列未解决的问题。本文系统讨论了日前CMOS射频低噪放的三种主流拓扑结构(共栅结构、共源共栅级联源极负反馈结构、反相器结构)的性能，讨论的重点是低噪放的噪声优化，主要研究内容如下： 1、分析了共栅结构的低噪放的性能，指出这种结构的低噪放的最大缺点在于他的较差的噪声性能，并提出了一种通过提高MOSFET的g_m的优化方法，他可以在不影响低噪放的增益的同时大大改善低噪放的噪声性能。 2、详细分析了共源共栅级联源极负反馈结构的低噪声放大器，系统讨论了低噪放的二个主要的噪声源，即输入共源管、级联共栅管、片上集成螺旋电感的伴生电阻的噪声贡献，并分别提出了优化设计的方法。 3、讨论了反相器结构的低噪放，指出这种低噪放的优点和缺点。