【摘 要】
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p-i-n二极管相对于p-n结二极管增加了一个本征区(又称为基区),这使它更广泛的应用于整流、限幅、射频、光电探测器等电力电子、光电子领域,基区的变化可以影响二极管的性能。
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p-i-n二极管相对于p-n结二极管增加了一个本征区(又称为基区),这使它更广泛的应用于整流、限幅、射频、光电探测器等电力电子、光电子领域,基区的变化可以影响二极管的性能。使用MATLAB模拟了不同组分的In(Al)xGa(1-x)N材料的势垒注入渡越时间(BARITT)二极管的特性,主要分析电流-电压关系、单位面积电导-电压关系、低场区与基区的分界点-电压的关系;对比了两种材料组份不同时,BARITT二极管的负阻特性以及电导、电纳与频率的关系。利用PECVD技术研制了p +型纳米晶硅/n-型单晶硅/n+型纳米晶硅((p+)nc-Si/(n-)c-Si/(n+)nc-Si)快恢复二极管;进一步地,在它的阴极结基区一侧嵌入(p+)nc-SiC埋层形成控制背面空穴注入(CIBH)结构。对比了有、无(p+)nc-SiC埋层的二极管的电容-电压关系、电流-电压曲线、反向恢复波形,讨论了(p+)nc-SiC在二极管的动态和静态过程中起的重要作用。结果表明,含(p+)nc-SiC埋层的二极管的抗雪崩耐性、反向恢复性能得到改善。
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