【摘 要】
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固体氧化物燃料电池(SOFCs)是一种直接将储存在燃料和氧化剂中的化学能高效、环境友好地转化成电能的全固态化学发电装置。目前,SOFCs的发展趋势是中低温化。降低SOFCs运行温度的方法有：(1)电解质材料的薄膜化,(2)使用中低温下具有高电导率的电解质。磷灰石型硅酸镧因为具有高的中低温电导率,高的化学稳定性等优点而成为中低温固体氧化物燃料电池电解质的研究热点。磷灰石型硅酸镧一般采用固相反应法制备
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固体氧化物燃料电池(SOFCs)是一种直接将储存在燃料和氧化剂中的化学能高效、环境友好地转化成电能的全固态化学发电装置。目前,SOFCs的发展趋势是中低温化。降低SOFCs运行温度的方法有：(1)电解质材料的薄膜化,(2)使用中低温下具有高电导率的电解质。磷灰石型硅酸镧因为具有高的中低温电导率,高的化学稳定性等优点而成为中低温固体氧化物燃料电池电解质的研究热点。磷灰石型硅酸镧一般采用固相反应法制备,但制备的磷灰石型硅酸镧存在的问题是烧结温度高和不易致密。采用磁控溅射法制备磷灰石型硅酸镧电解质薄膜有望
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钛酸镁(MgTiO3)和钛酸锌(ZnTiO3)都是非常重要的微波陶瓷材料。MgTiO3因为具有很高的品质因数(Q值)、较低的介电损耗和适中的介电常数倍受关注。同时ZnTiO3在微波频段内具有较低的介电损耗,而且烧结温度较低,可以用作制备银、铜电极共烧中温低介电损耗微波材料,但是烧结温度高会分解。目前,大多数研究都集中在提高MgTiO3和ZnTiO3陶瓷粉体的纯度和降低其烧结温度。为了进一步提高Mg
近年来,一种绿色分离技术—气体膜分离技术,以其高效节能特点,得到了迅猛发展。然而,以聚合物为基础的气体分离膜由于难以超越Robesen上限,限制了其在气体分离领域的广泛应用。炭膜作为一种新型功能炭基膜材料以其发达的可区分气体分子的纳米级超细微孔结构,优异的热、化学稳定性,在气体分离领域展现出巨大的潜力。但它的较高的制备成本给其大规模商业化应用带来很大的阻碍。因此,研究开发低成本、高性能的前驱体材料
氧化锌(ZnO)是一种宽带隙(室温下3.3eV)Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,激子结合能为60meV,具有六方纤锌矿结构,其空间群为P63mc。晶格常数a=0.3249nm,c=0.5206nm。ZnO薄膜具有良好的透明导电性、压电性、光电性、压敏性、且易于与多种半导体材料实现集成化。由于这些优异的性质,使其具有广泛的用途和许多潜在用途,如表面声波器件、紫外光探测器、压敏器件、紫外发光器件、GaN蓝光薄膜
氮化镓(GaN)作为一种宽直接带隙(室温禁带宽度为3.39eV)半导体材料,具有电子饱和漂移速度高、热导系数高、介电常数小、化学性质稳定和热稳定性好等特性。GaN基器件已经广泛应用于半导体发光二极管(LED)、半导体激光器(LD)等光电子器件上,同时由于它还具有高的声波速率、很好的压电特性,又使其成为制备兆赫兹级声表面波器件(SAW)的理想压电材料。目前GaN薄膜主要是在蓝宝石(α-Al2O3)碳
近年来,纳米薄膜材料以其特有的物质形态和性能广泛的应用到了现代科技当中,因此对于薄膜材料的研究越来越引起人们的关注。通常情况下,薄膜材料是通过生长而获得的,生长过程中所涉及到的复杂原子过程以及这些过程之间的相互作用关系对于薄膜的微观结构和性能有着非常重要的影响,因此从原子尺度来研究这些动力学过程有着重要的理论和应用意义。计算机模拟技术的不断发展,更是加强了薄膜生长的理论研究和实验分析间的相互指导作
氧化锌(ZnO)是一种直接带隙宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,其室温下禁带宽度约为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV,远高于室温下的热离化能(26 meV),ZnO中的激子能够在室温下稳定存在,并且可以产生很强的光致激子紫外发射,非常适于制备室温或更高温度下低阈值、高效率受激发射器件。由于ZnO在结构、电学和光学性质等方面有很多优点,并且ZnO薄膜的制作方法很多,如磁控溅射(Magnetr
随着工程实际中振源强度的不断加大,振动和噪声引起的危害也越来越突出。为了有效抑制振动和噪声,振动控制技术被广泛研究和应用。本文在研究了隔振技术的基本原理以及分析了一些常用隔振元件的优缺点之后,设计了一种既能抑制高、低频振动具有较宽隔振频域和较大承载能力,同时又能有效改善共振隔振效率的橡胶钢丝绳复合隔振器。橡胶钢丝绳复合隔振器具有摩擦阻尼和粘弹性阻尼的复合特性,因此选用混合型阻尼模型建立了橡胶钢丝绳
外循环耗散型气波制冷机是一种新型的气波制冷设备。它以波转子为核心部件,采用两端开口的压力振荡管结构,利用振荡管中的激波和膨胀波实现能量的转化,达到制冷的目的。设备回流端外接换热回路,实现热量的集中回收。在天然气制冷、深冷工艺等领域具有广阔的应用前景。外循环耗散型气波制冷机的研究在国家高技术研究发展计划(863计划)项目“天然气地层压力能综合利用新技术”的支持下展开,本文结合气体动力学非定常流动理论
随着超大规模集成电路中器件和互连线尺寸的不断减小,厚度薄且具有良好的阻挡性能及电学性能的扩散阻挡层的制备变得越来越具有挑战性,必须要引进新材料和新工艺来解决这一问题,因此向Cu膜中直接加入少量元素来制备Cu种籽层的无扩散阻挡层结构成为了该领域的重要研究内容。本论文采用磁控溅射在单晶Si(100)基体上溅射沉积Cu(C)和Cu(Ti)合金薄膜,研究了小原子C和大原子Ti的加入对Cu膜的微结构和性能的
以氮化镓(GaN)为代表的Ⅲ族氮化物半导体材料,由于其在光电子和微电子器件上的应用前景,受到了人们极大的关注。2002年的研究表明,氮化铟(InN)的禁带宽度为0.7eV,而不是之前报道的1.89eV,这就意味着通过调节InxGa1_xN三元合金的In组分,可使其禁带宽度从3.39eV(GaN)到0.7eV(InN)连续可调,其对应的吸收光谱的波长从紫外部分(366nm)可以一直延伸到近红外部分(