在微电子光刻工艺中，光源的稳定性直接影响着基片的曝光量，随着集成电路和各类微电子元器件集成度的不断提高，对光源的稳定度提出了更高的要求。研制高性能的恒功率超高压汞灯电源，可以有效提高光强稳定度，实现曝光量的精确控制。本课题源自中国电子科技集团公司第四十五研究所承担的纵向课题特种器件双面曝光机的一项关键技术：恒功率超高压汞灯电源的研制。 本文分析了超高压汞灯的电气特性以及对电源的特殊要求，提出用模拟乘法器将电压、电流信号转变为功率信号，通过脉宽控制(PwM)技术实现汞灯恒功率控制的总体方案。 进行恒功率汞灯电源的设计，将模拟乘法器、电流滞洄比较器应用于脉宽控制电路，实现了对汞灯的恒功率控制和启动电流的限制。 对电源系统进行可靠性设计，提出了提高功率稳定精度和系统可靠性的具体措施，保证了电源系统的功率稳定度和可靠性。 对电源系统进行测试分析，验证了设计思想和技术指标；测试结果表明，技术指标完全达到了设计要求。 本课题研制的特种器件双面曝光机经过有关部门鉴定，现已交付用户使用，经过用户的实际使用考核，电源系统性能稳定，光强稳定性好、光源质量高。充分说明恒功率汞灯电源的设计是正确的、成功的。