【摘 要】
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本文分别采用直流磁控溅射技术和微波等离子体增强化学气相沉积(MPCVD)技术在镀钛氧化铝陶瓷衬底上制备了氮化碳薄膜,并研究了样品的场致电子发射特性,发现氮化碳薄膜的场致发射特性与其沉积条件有密切的关系。 采用直流磁控溅射方法制备的氮化碳薄膜的场致发射特性与衬底温度和N_2/Ar流量比有关。在我们的实验范围内,衬底温度为400℃左右,氮气体积流量占总溅射气体约70%时氮化碳薄膜的场致发射特性最
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本文分别采用直流磁控溅射技术和微波等离子体增强化学气相沉积(MPCVD)技术在镀钛氧化铝陶瓷衬底上制备了氮化碳薄膜,并研究了样品的场致电子发射特性,发现氮化碳薄膜的场致发射特性与其沉积条件有密切的关系。 采用直流磁控溅射方法制备的氮化碳薄膜的场致发射特性与衬底温度和N_2/Ar流量比有关。在我们的实验范围内,衬底温度为400℃左右,氮气体积流量占总溅射气体约70%时氮化碳薄膜的场致发射特性最好。 采用MPCVD方法制备的氮化碳薄膜的场致发射特性
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