近年来,以石墨烯为首的二维层状材料因其独特的结构和优异的性能而受到广泛关注。作为二维材料的成员之一,二维Ⅳ-Ⅵ族化合物具有超薄的单层厚度、可调且多样的带隙和新颖的物理性质,同时其元素丰富、环境友好,在电子和光电器件方面应用前景巨大。SnSe2作为典型的Ⅳ-Ⅵ族化合物之一,是本论文的研究对象:本论文利用化学气相沉积(CVD)法成功合成SnSe2单晶薄片,并对其形貌结构、场效应特性以及退火特性进行了详细地研究和讨论。第一,利用CVD法在云母衬底上合成出了大面积分散分布着的SnSe2单晶薄片,对比研究了 Ar/H2比例和反应压强对SnSe2单晶薄片生长的影响,并借助光学显微镜、电子显微镜、原子力显微镜和拉曼光谱仪等各种表征手段对其表面形貌、晶体结构和结晶质量进行详细的表征;第二,借助紫外光刻与电子束蒸发镀膜技术在沉积有300nm SiO2的p型单晶硅衬底上成功制备出了 SnSe2场效应晶体管,详细研究了 SnSe2单晶薄片的室温场效应特性,发现CVD法生长的SnSe2单晶薄片中空穴载流子占主导,首次在所制备的SnSe2FETs中实现室温关断,开关比和迁移率分别高达约105和40cm2/Vs,还讨论分析了 SnSe2 FETs可实现室温关断特性的物理原因;第三,研究了 Ar氛围下不同退火温度对SnSe2单晶薄片的表面形貌、晶体结构和结晶质量的影响,对比研究了 Ar氛围下不同退火温度对SnSe2 FETs的场效应特性的影响,发现350℃以下的退火可以使SnSe2 FETs的源漏电流减少2-10倍,开关比增加约一个数量级;而400℃的退火可以使SnSe2FETs由n型转变为P型。此外,我们还初步研究了氢气退火对SnSe2FETs的影响,发现源漏电流增大约一个数量级。