ZnO是Ⅱ-Ⅵ族直接宽带隙半导体材料，其禁带宽度（Eg）是3.37eV，室温下激子结合能较高，为60meV，是实现短波长光电器件的最佳材料。近年来，ZnO纳/微米结构及发光器件的研制已经成为国内外研究的热点内容。本文采用简单CVD方法成功的制备出磷掺杂ZnO纳米线和ZnO微米线，并在此基础上制备了p-ZnO:P纳米线/n-Si结构的异质结和单根Au/ZnO/Al微米线肖特基二极管，并对其特性进行了研究。取得的主要结果如下：（1）采用化学气相沉积方法(CVD)，在不使任何金属催化剂的情况下，在低阻n型Si（100）衬底上制备出p-ZnO:P纳米线/n-Si异质结。通过对ZnO:P纳米线的形貌、结构和光学特性的研究结果表明，生长的ZnO:P纳米线结晶质量较好，且沿c轴方向择优生长。此外，在低温10K下的光致发光（PL）光谱中出现了A0X和FA受主发射峰，证实了P作为受主进入到ZnO中。p-ZnO:P纳米线/n-Si异质结器件展现出良好的整流特性，其正向开启电压约为4.2V，反向击穿电压约为6.0V，表明制备的ZnO:P纳米线呈p型导电特性。（2）采用化学气相沉积的方法(CVD)，在不使任何金属催化剂的情况下，成功的制备出超长、大尺寸ZnO微米线，并在此基础上构建出单根Au/ZnO/Al微米线肖特基二极管。通过肉眼和光学显微镜可以看出制备出的ZnO微米线分布密集，尺寸较大，其单根微米线长度约为2.5cm，直径约为40μm。此外，该器件显示出具有良好的整流特性，其正向开启电压约为2.9V，反向击穿电压约为3.6V。这种具有良好整流特性的大尺寸ZnO纳/微米线器件的研制，对光电器件的发展有着重要的研究意义。