二维纳米材料WSe2光电性质的理论研究

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近年来,新型二维纳米材料在多个领域展现出越来越大的应用潜力。石墨烯因拥有很高的载流子转移速率、优异的导热导电等特性,而深受广大研究学者的青睐;但由于石墨烯的光吸收率较低且禁带宽度为零,这限制了其在光电子器件领域的进一步应用。与石墨烯相比,二维过渡金属硫族化合物(TMDCs)拥有较宽的带隙,在实验和理论研究上都表现出了良好的物理特性。二硒化钨(WSe2)作为TMDCs中带隙相对较大的重要成员,其是首个被验证同时具有N、P型导电特性的半导体,展现出优异的电学性能。与此同时,实验上发现WSe2还具有良好的光吸收能力、较强的抗腐蚀性等特点,这在业界掀起了巨大的研究热潮。本文使用第一性原理方法,对具有稳定相的2H型WSe2的光电性质进行了理论研究。具体的研究内容如下:(1)从理论上分别建立了锯齿型(Zigzag)和扶手椅型(Armchair)单层2H-WSe2的光电探测器模型,计算了在线偏振光的辐射下,两种不同结构的光电探测器在一定偏压区域内产生的光电效应。结果表明二者在几乎全部可见光的区域内,都可以产生相对较大的光响应,体现了单层2H-WSe2具有较强的宽频带光响应能力。另外,在所有偏压下,两种结构的光电探测器均在光子能量为2.8e V时,获得了最大的光响应,我们通过分析单层2H-WSe2的电子能带结构和态密度,对这种现象作了进一步的解释。(2)研究了掺杂对单层2H-WSe2光电效应的影响,基于实验上通过掺杂的方式对WSe2的改性研究,我们从理论计算的角度出发,研究了Nb、Ni、Ti原子分别替位掺杂W原子后的光电效应。结果显示,这三种元素的替位掺杂均能有效加强单层2H-WSe2的光响应能力,且Ni体系表现最佳,能获得最大的光响应和最高的偏振灵敏度。此外,我们还进一步研究了替位掺杂对单层2H-WSe2光电效应的调控机制。(3)基于零偏置电压的物理环境下,研究了Se原子空位缺陷对单层2H-WSe2光电性质的影响。对比研究了空位Se原子前后电子能带结构和态密度的变化规律,空位Se原子后,单层2H-WSe2的导带和价带均有向高能区域移动的趋势,但仍保持半导体特性。在整个可见光范围内,空位Se原子有效加强了单层2H-WSe2的光电效应,并分别在2.8e V、3.2e V处取得峰值光响应;这归因于空位引入了杂质能级,成为电子跃迁的桥梁。通过分析含Se空位单层2H-WSe2的总态密度,进一步验证了我们的结果。
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