基于28nm先进工艺的带隙基准源芯片设计

来源 :复旦大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:Andy_nnu
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近年来由于集成工艺水平的提高,电路设计技术的不断改进,模拟集成电路的设计得到较大的进展,同时对电路的性能提出新的挑战。目前随着便携式电子系统的普遍应用,对模拟集成电路的各方面性能也有了更高的要求。带隙基准电压源之所以是模拟电路中重要的模块,是因为它能够提供近似恒定的参考电压,这个电压不随温度,电源电压,工艺的变化而变化。这一特性使得带隙基准电压源在诸如DC-DC电路,模/数转换器(A/D Converter),数/模转换器(D/A Converter)以及存储器(Memories)等电路当中得到广泛应用。同时,带隙基准电压源电路的结构简单,可靠性较高,可以用标准CMOS工艺实现,适宜于大规模生产,目前己成为CMOS集成电路当中最流行的一种基准电压产生器。本文详细讲述了一个在TSMC 28nm CMOS工艺下的低电压、低功耗、高精度带隙基准电压源电路模块的设计与实现。电路中设计了一个高增益、低噪声的运算放大器,用来提高基准源的精度并且降低失调电压和低频噪声的影响。版图设计中考虑了器件的匹配、噪声耦合、以及寄生影响等。整个带隙基准源电路在TSMC 28nm CMOS工艺下成功流片。工作电压范围可达到1.6v至2.0v,功耗小于150uW。工作温度在0℃至125℃时,温度系数小于10ppm/℃,输出电压稳定在1.24v至1.25v。电源抑制大于55dB。
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