低温烧结Ba(Mg<,1/3>Ta<,2/3>)O<,3>微波陶瓷介电性能研究

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现代科技的进步伴随着介质材料的发展,陶瓷是介质材料中重要的一员。本文首先介绍了介质材料以及其在介质滤波器以及介质天线上的应用,然后着重讨论了针对一种优秀介质材料的低温烧结问题。Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(简称BMT)陶瓷是A( B′1/3B′2/3′)O3(A=Ba,Sr; =Mg,Zn;=Nb,Ta)型复合钙钛矿结构化合物中的一种。它是低B′B′′εr类微波介质陶瓷材料的最优秀的典型代表,可作为滤波器、谐振器上的介质材料应用在微波范围。但此种材料的烧结温度过高,达到1600℃,极易造成Mg、Ba等组分的挥发而使其介电性能恶化。因此,以改善其烧结性能,降低烧结温度为主要目的的对BMT陶瓷材料改性研究就显得十分必要。本文首先研究了添加BaSnO3的系统(1-x)Ba(Mg1/3Ta2/3)O3-xBaSnO3,其中B位由Sn4+取代Mg2+或Ta5+。发现BaSnO3的添加可明显改善系统的烧结性能,降低烧结温度,当BaSnO3的添加量为0.15%时在1500℃即可烧结致密(比纯BMT降低100℃),介电性能方面,此时Q值最高,τf趋于零。此时其微波介电性能如下:εr=24.9、tgδ=7.3×10-4、τf≈0。然后实验通过添加Bi2O3玻璃使系统的烧结温度进一步降低到了850℃,而且介电性能保持得较好。另外,还实验了ZnO玻璃,也达到了理想的效果。
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