InGaAs-InP异质结光晶体管的器件设计与理论研究

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异质结光晶体管(Hctcrojunction Phototransistor),作为一种光电探测器件,较之光敏二极管采用了异质结结构,并将其放大功能进行了集成,拥有了较高的光增益和系统性噪比,较小的暗电流(无光照时流经晶体管的电流),较宽的截止频率,在光纤通讯和光纤传感中广泛应用。本论文首先详细分析了异质结材料的结构、特点和性能,然后阐述了异质结材料的研究进展,工作原理,理论基础,器件工艺,在此基础上采用异质结材料,进行光晶体管的设计,创新性的设计了InGaAs-InP性能优化的异质结光晶体管,其性能较之通常的光三极管易于实现微弱光相位信号的检测,并为光电集成(OEIC)的设计提供了先决条件和理论基础。最后对该设计进行了分析、计算和仿真。创新性的提出了一种用Medici软件对异质结光晶体管进行器件仿真的方法。按照本论文提出的工艺方法、器件结构及工艺参数,设计出的大尺寸台面式InGaAs-InP异质结光晶体管(HPT),光增益为2000,在窗口面积为80×80μ㎡下,-3dB响应带宽为9MHz,性能比相关报导优越许多。
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