【摘 要】
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该论文工作的创新点在于:在面阵器件中采用InGaAs/GaAs多量子阱作为有源区,到目前为止,国际上报道的64×64多量子阱SEED光子集成智能象素面阵.都是采用GaAs/AlGaAs多量子阱作
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该论文工作的创新点在于:在面阵器件中采用InGaAs/GaAs多量子阱作为有源区,到目前为止,国际上报道的64×64多量子阱SEED光子集成智能象素面阵.都是采用GaAs/AlGaAs多量子阱作为有源区.同时国际上也有研究机构研制过采用InGaAs/GaAs多量子阱作为有源区的SEED智能象系,但都是单管器件.还没有关于在面阵器件中采用InGaAs/GaAs多量子阱作为有源区的报道.彩InGaAs/GaAs多量子阱作为有源区的SEED智能象素面阵器件有如下优点:1、通过调整InGaAs/GaAs组份,可以把激子吸收峰从0.85μm和1.06μm,使它在应用上尤其是军工应用方面将有更大潜力.2、工作波长为0.98μm和1.06μm,作为衬底的GaAs材料对该波段是透明的,这就更便于实现智能象素素芯片的倒装焊.该论文围绕64×64InGaAs/GaAs多量子阱SEED智能象素面阵器件的研制进行了多方面的工作,研究了InGaAs/GaAs系应变MQW激子非线性效应,对新型64×64SEED智能象素光子集成面阵器件开展了初步研究.
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