半导体桥火工品作用时,电压、电流、电阻参数和温度参数发生动态变化,这些动态参数是理解半导体桥作用机理的重要参数。等离子体温度是药剂能否顺利点火的重要因素之一。通过系统研究空载半导体桥桥区的电热模型(半导体桥的传热模型、电压控制方程和电阻-温度模型),得到比较准确的桥区温度预测模型。论文主要成果如下:1)修正SCB桥区电阻(100μm×380μm×2μm)产生等离子体的临界能量为1.77 mJ,如果储能电容的初始能量小于临界能量,就不能使SCB芯片产生等离子体。2)建立基底-桥区-药剂的一维导热模型。得到半导体桥电阻的升温速率曲线。3)建立桥区-基底半无限大物体的强瞬态热传导模型。在22μF-24 V电容放电条件,等离子体放电时,模型计算的温度为2612 K,实验值为2394 K。4)建立半导体桥桥区的集总参数法对流换热模型。得到半导体桥电阻的升温速率曲线。5)提出电容放电实验电路的理论和经验电压控制方程,用以描述电阻和电流的关系。理论和经验的电压控制方程和实验结果吻合。6)建立半导体桥桥区电阻-温度关系的模型。模型表明,SCB桥区在气化前,电阻率是比内能的函数。