低噪声放大器作为微波接收系统的重要组件之一,它对整个接收系统的接收灵敏度和噪声性能起着决定性作用。高电子迁移率晶体管是一种新型的场效应晶体管,具有高频率、低噪声、大功率等一系列的优点。用HEMT制作的多级低噪声放大器已广泛用于卫星接收系统、电子系统及雷达系统。论文在分析微波低噪声放大器工作原理的基础上,对C波段低噪声放大器电路进行了设计研究。该电路采用三级放大,低噪声放大器选用ATF-36077晶体管,通过仿真分析,完成了偏置电路以及输入、级间和输出的匹配电路设计。设计中在源极加入反馈微带线来改善电路的稳定性,在电路的第三级晶体管的栅源之间加入负反馈网络来改善电路的增益平坦度和输入输出驻波比。采用ADS软件进行全部电路的优化仿真,仿真结果表明,低噪声放大器工作在3.7GHz—4.2GHz波段,增益大于30dB,噪声系数小于0.6dB,驻波比小于2,达到了设计指标的要求。