氧化钨基材料具有很多独特的特性,这种特性可以有效利用在超级电容器中。比如很高的理论比容量、可以进行可逆的电化学氧化还原反应、价格便宜和环境友好特性,这些特性使得三氧化钨成为很有潜力的超电材料。并且通过转移电子通过电极电解液界面进行氧化还原反应,氧化钨会产生比双电层电容更高的赝电容。但是氧化钨基材料通常导电性都很差,这会降低其电子传输效率不利于超电性能的提升。同时三氧化钨是一个在光电催化分解水领域很有潜力的候选者材料,这是由于其合适的带隙（2.6-2.8 eV）、优异的电子移动能力以及空穴扩散能力。并且值得注意的是三氧化钨电极在AM 1.5 G的光源照射下的理论光电流密度可以达到4 m A cm^-2,这是一个非常高的光电流密度。但是,纳米结构的三氧化钨的光生电子与空穴总是展现着非常快的复合效率,而这会非常大的降低光催化活性因为无法获得足够的参与反应的光生电子与空穴。另外,在光分解水的过程中,三氧化钨由于其过氧位点的构建会承受很强的光腐蚀,这种光腐蚀依旧对性能有很大的不好的影响。基于上面的描述,我们对氧化钨基材料进行了一些有效的修饰并且将其与其他合适的材料进行复合变成复合物来提升其超电以及光电催化的性能。（1）将三氧化钨纳米片与活性碳布进行复合,得到了介孔三氧化钨纳米片与活性碳布的复合物。由于碳布具有很好的导电性,复合后的体系超电性能大大提升,并且我们通过密度泛函第一性原理计算证明了三氧化钨纳米片的（200）晶面相比于（002）以及（020）晶面具有最强的钠离子吸附能力,因此具有最强的氧化还原能力,从而可以极大地提升超电性能。（2）我们制备了二氧化钨颗粒与壳聚糖碳复合物的气凝胶进行超电的研究。其中二氧化钨具有很多的氧空位从而可以增加其电子传输效率。并且将壳聚糖进行碳化可以得到多孔碳,这是一种比表面积很大的碳物质。比表面积与导电性的增加可以有效提升超级电容器性能。（3）我们将三氧化钨纳米片与中空二氧化钛量子点进行复合,这种复合可以有效解决三氧化钨光生载流子易复合的问题。并且中空的二氧化钛量子点具有很高的比表面积从而可以增加光的吸收以及与电解液的接触,进而极大的提升了光电催化性能。