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基于透明氧化物薄膜材料的薄膜晶体管(TFT)技术由于其优异的特性，成为新一代平板显示技术中的关键核心技术之一。 作为显示驱动TFT的沟道层材料，透明氧化物薄膜材料需要具备高的迁移率与大的驱动电流能力，大的开关比以及良好的光透过率，稳定性好等特性。本论文针对透明氧化物薄膜材料及其TFT技术中存在的技术问题，研究了氧化铟锌(In-Zn-O，IZO)和氧化锌锡(Zn-Sn-O，ZTO)氧化物材料体系及其TFT性能与制备工艺开展研究。本论文主要围绕以上所说的要求，做了以下几个方面的研究工作: (1)研究了利用溶胶凝胶(Sol-Gel)方法制备氧化铟锌(In-Zn-O，IZO)和氧化锌锡(Zn-Sn-O，ZTO)材料薄膜的工艺流程，成功开发了低成本制备IZO、ZTO材料体系的氧化物薄膜的工艺，成功制备了薄膜质量良好、透光性高的掺杂IZO、ZTO氧化物薄膜，为进一步研究奠定技术基础; (2)研究了氧化铟锌(In-Zn-O，IZO)材料体系及其掺杂效应对TFT性能的影响。利用溶胶凝胶(Sol-Gel)工艺，分别制备了Ga、Ca、La掺杂的IZO薄膜材料与TFT器件。结果显示，在3％ Ca掺杂的Ca-IZO TFT器件中，实现了最大迁移率可达1.37cm2/Vs，开关比达4.5×105，亚阈斜率SS=1V/dec，饱和电流达108μA(Vg=40V); (3)研究了氧化锌锡(Zn-Sn-O，ZTO)材料体系及其掺杂效应对TFT性能的影响。利用溶胶凝胶(Sol-Gel)工艺，分别制备了La、Ca、 Ba、Y、Mg掺杂的ZTO薄膜材料与TFT器件。结果显示，Ba、La、Ca、Y、Mg掺杂都有助于提高ZTO薄膜器件中性能，在Ba-ZTO器件获得迁移率4.48cm2/Vs，开关比3.32×106，饱和电流300μA的性能。