【摘 要】
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本文所研究的内容是通过改变气流量的分布,来改善LED外延片的均匀性,从而为生长出高质量的LED外延片提供理论支撑和技术支持,为LED的快速发展奠定基础。本文通过理论分析了AI
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本文所研究的内容是通过改变气流量的分布,来改善LED外延片的均匀性,从而为生长出高质量的LED外延片提供理论支撑和技术支持,为LED的快速发展奠定基础。本文通过理论分析了AIXTRON2800G4行星式MOCVD气体喷嘴上下两路五族源的流量比、上下两路五族源流速、AsH3流量以及Ⅲ族源的总气流对外延层A1组分、生长速率、掺杂浓度对晶体质量、均匀性等的影响。研究了生长出高质量的AlGaInP红光LED外延片的生长工艺,并进行了实验分析。探究使用最佳的生长工艺制作出的AlGaInP红光LED外延片的生长速率提高了12.5%,DBR波长均匀性提高了20%,MQW均匀性提高了20%,光强度均匀性提高了10%,从整体上提高了LED外延片的良率。因此,本文所研究的气流量分布为LED行业的发展起到较大的推动作用。
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