随着信息化社会和现代科技的迅速发展，对可以在Si和GaAs器件难以承受的高温环境下工作的电子器件的需求越来越迫切。在寻求高温器件的同时，研制高频大功率、抗辐射的高性能半导体器件也是上世纪90年代以来微电子领域的重点之一。以SiC为代表的宽禁带半导体材料具有禁带宽、击穿场强高、热导率高、抗辐照能力强、化学性能稳定等独特点，是研制这一类器件的理想材料。但是，由于SiC制备难度大、成本高，市场上还没有较为成熟的晶体生长工艺装备。本课题依据SiC晶体生长工艺的要求，在多年研究工作的基础上研制能满足SiC半导体晶体生长需要的工艺设备。在设计过程中，通过对机械、真空密封、电器控制等关键部分的优化设计，解决了真空室石英管与金属法兰之间的高温高真空密封、炉内坩埚温度的测量和控制以及高频电源的程序化稳定控制等方面的技术难题，经过调试和晶体试样制备，对设备进行了参量优化，达到了较为理想的工作状态，可满足SiC晶体生长的要求。