本论文的撰写是基于天津大学电信学院新型半导体器件与集成技术组和国防科技重点实验室的合作项目——“谐振隧穿三极管器件结构的研究”进行的。为了探究共振隧穿三极管(RTT)的结构对器件特性的影响,采用ATLAS模拟软件进行器件模拟,在中国电子科技集团第13研究所进行了芯片制作,并对器件进行了测量,对于测试结果做了详细的对比与分析。截至目前为止,本课题组和重点实验室合作,成功研制出国内第一只共振隧穿三极管,其电流峰谷比PVCR最高达到47。论文完整的介绍了RTT的研制过程,从材料设计、版图设计、器件模拟、芯片制作、测试、结果分析以及在电路中的应用等各个方面进行了详细的解释与论述,重点对器件模拟与芯片的测试与分析两个关键环节进行了阐述。在模拟方面,着重对肖特基栅型共振隧穿三极管(SGRTT)和RTD与HEMT结合的RTT两种类型器件进行了仿真,特别是对影响器件特性的重要结构参数和工艺参数进行了模拟分析,如器件发射极的面积、栅极的纵向位置以及势垒区附近材料的掺杂浓度等,在研制阶段为设计人员提供了参考,在流片阶段为器件制作提供了理论依据。文章对芯片的测试结果进行了充分的分析与说明,针对芯片发射极-集电极正反接地造成的I-V特性曲线的差异性和开启电压VT随栅压漂移的情况进行了讨论,并通过器件模拟验证正反接I-V特性曲线的差异,有力证明了作者对此的观点,为分析测试结果提供了有力帮助。整篇论文对共振隧穿三极管从设计、模拟到测试结果分析、验证都进行了全面而严谨的论述,为今后隧穿器件的研究与应用奠定了基础。