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Ⅱ-Ⅵ族化合物ZnS是一种直接宽带隙半导体材料,光学带隙为3.7eV,有良好的光学和电学特性,无论是在光发射器件领域,还是在α粒子探测器件、薄膜电池和电致发光领域,都是应用极为广泛的材料。本论文利用KrF准分子脉冲激光沉积技术制备ZnS薄膜,并系统地研究了不同衬底、不同温度以及不同退火处理对薄膜的制备和光学特性的影响。另外,制备并研究了不同的退火处理方式对硅基薄膜结晶质量的影响。1.在玻璃衬底上制备了100℃、200℃、300℃、400℃和500℃温度下的ZnS纳米薄膜。X射线衍射谱表明