目前,几乎所有的光学元件表面都需要镀制各种薄膜来改善其光学性能,有些光学系统中,既要实现对特定波段的红外信号高效透射,又要对一定频段的电磁波信号具有良好的屏蔽作用。本文针对实际需求,基于光学薄膜的基本理论,结合金属网栅薄膜的电磁屏蔽特性,设计并制备了3～5μm红外波段的高效增透膜,研究了12～18GHz频段内具有一定电磁屏蔽效能的金属网栅薄膜。通过对红外增透膜系和金属网栅结构的优化,在双面抛光Si基底上制备了既能红外高效增透,又能有效阻碍电磁干扰的兼容电磁屏蔽的红外增透薄膜。采用CST STUDIO SUITE电磁仿真软件分别设计仿真了不同线宽、不同周期结构的网栅膜。分析了2～18GHz频段内金属网栅薄膜的结构参数对电磁屏蔽效能的影响。采用光刻掩模技术和真空热蒸发沉积技术,在双面抛光Si基底上制备了不同结构参数的金属网栅微结构,获得了硅基底上镀制周期g=550μm,线宽2a=30μm金属网栅薄膜,其电磁屏蔽效能为SE≥12d B,对比研究了两种不同电阻率Si基底上制备的金属网栅的总体电磁屏蔽效能。经过工艺优化,最终实现总体电磁屏蔽效能优于28d B,在15GHz频率的总体屏蔽效能达到28.6d B。采用离子束辅助电子束热蒸发沉积技术,选择单面抛光硅作为基底,镀制了Zn Se、Ba F₂单层薄膜,获得了薄膜材料的制备工艺和光学常数。结合光学薄膜理论,使用TFCale膜系仿真软件设计了3～5μm波段高效增透的红外薄膜,膜系结构为S|3.5H3.5L|A,设计波长为1064nm,采用离子束辅助真空热蒸发技术制备了该红外增透薄膜,最终达到3～5μm波段内,样品的峰值透射率为99.8%,平均透射率为99.3%。为进一步改善金属网栅的透射率,在周期结构g=550μm,线宽2a=30μm金属网栅薄膜上沉积了红外增透薄膜,最终制备出12～18GHz频段内总体电磁屏蔽效能大于28d B,3～5μm红外波段内峰值透射率为86.3%,平均透射率为86.1%的兼容电磁屏蔽的红外增透薄膜器件。