全色超高亮度LED(light emitting diode，发光二极管)的实用化和商品化使照明技术面临一场新的革命，相应对各色LED的光电性能要求也随之升高。传统GaAs基LED衬底吸光、界面全反射等因素限制了AlGaInP LED外量子效率的提升，同时，GaN基LED的性能近年来快速提升，出现了很多新型LED。本论文设计并制备了新型转移衬底AlGaInP-LED和高压GaN-LED，并进行了光电性能的测试，对测试数据进行了理论分析。　　本论文是在国家高技术研究发展计划(863计划)项目(No：2009AA03A1A3)、国家科技支撑计划项目(No：2011BAE01814)的支持下完成的，主要研究内容如下：　　首先，研究了带有全方位反射镜(ODR)的转移衬底AlGaInP LED制备工艺和光电特性。通过GaAs衬底去除、键合等工艺方法制备出带有ODR的AlGaInP LED。着重分析了ITO(氧化铟锡)层厚度不同的LED器件的性能差别以及Zn元素的引入对器件性能的影响。结果表明，Zn元素向ITO层中扩散增加了ITO材料的导电性，从而减小器件的串联电阻，且较薄的ITO层有利于Zn元素的扩散。　　其次，论文对GaN基LED制备的关键工艺进行研究和优化。介绍了ICP刻蚀设备工作原理及关键参数，通过实验确定了ITO的最佳腐蚀时间和掩膜材料。通过对ITO退火技术原理和必要性的分析，研究了退火技术对GaN基LED性能的影响并确定最佳退火条件。另外，制备了小功率GaN-LED，分析了ITO层粗化前后LED特性。　　再次，论文从应用角度分析了高压GaN-LED的优点，着重研究了高压LED关键结构的制备方法和优化。ICP刻蚀深槽时，可以通过改变RF功率来调节侧壁形貌；绝缘层淀积后要检测SiO2层的绝缘性，通过实验提出了减少针孔的淀积方法；通过对GaN-LED电流扩展特性的分析，研究了高压LED的互联电极的设计方法，并设计版图。　　最后，论文通过对关键工艺的研究，制备了12V高压GaN-LED，着重分析了高压LED的光电性能。通过光学性能的测试，比较了不同电极结构的高压LED辐射通量和光效的差别，并分析原因。通过对高压LED理想因子和寄生效应的理论研究，估算出理想因子和串联电阻的大小。结果表明，HV-LED的理想因子随串联晶粒个数的增加而增大，晶粒延迟点亮的原因在于存在电流通路且串联电阻较高。通过上述分析，提出了优化高压LED性能的方案，并设计版图。