在该论文工作中,我们分别采用脉冲激光沉积技术(PLD)和化学气相沉积技术(CVD)在氧化物基片上成功地制备了性能优异的MgB<,2>超导薄膜,并研究了MgB<,2>超导薄膜的各种正常态及超导态性质.此外,我们还利用自行设计的电泳技术在各种金属基带上制备了MgB<,2>超导厚膜.该论文的主要内容和结论如下:1.率先采用PLD异位退火技术在c-AL<,2>O<,3>单晶基片上成功制备出了c轴取向的MgB<,2>超导薄膜.2.率先利用CVD异位退火技术在MgO(111)和c-AL<,2>O<,3>单晶基片上成功制备了表面光滑的MgB<,2>超导薄膜,同时研究了薄膜厚度对MgB<,2>临界温度和临界电流密度的影响.3.首次利用电泳技术在金属基带Ta、Mo、Fe、SS、Cu上成功制备出MgB<,2>超导厚膜.4.利用电阻测量、霍尔测量、磁电阻测量、微波测量、x射线光电子能谱和Raman散射光谱详细研究了MgB<,2>薄膜正常态直流电阻率和霍尔系数的温度依赖特性、上临界场各向异性和涡旋量子涨落、微波表面电阻、穿透深度和微波电导率以及MgB<,2>薄膜中Mg2p和Bls的芯能级谱和MgB<,2>的声子谱.