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碘化亚铜(γ-CuI)作为Ⅰ–Ⅶ族半导体,属于p型宽带隙高电导率的材料,具有闪锌矿晶体类型、独特的光电特性,是优秀的空穴传输材料,在钙钛矿、聚合物、异质结等太阳能电池领域中具有巨大的潜在应用价值,已成为专家学者研究的热点。本文主要讨论了连续提拉法、化学气相沉积法制备CuI薄膜,并探讨了基于CuI薄膜的异质结的光电特性。本文首先利用连续提拉法,以碘化亚铜饱和溶液为前驱液,在ITO透明导电玻璃衬底上制备了CuI薄膜。通过金相显微镜、X-射线衍射仪、分光光度计、扫描电子显微镜、霍尔效应仪等仪器讨论了提拉次