本文以气体放电活化反应蒸发沉积法(GDARE)制备ZnO压敏薄膜，分析薄膜的表面形貌与晶体结构，探讨GDARE法沉积ZnO薄膜的生长机理，确定薄膜制备参数。提出以多次沉积法有效增加薄膜厚度，以小于300℃的低温热处理改善薄膜晶体质量，获得优良压敏特性。 本文分析研究了GDARE法制备的ZnO单层膜、多层膜以及ZnO/SnO2复合膜在不同温度热处理后的电流电压特性曲线、非线性系数和压敏电压等。通过测试高温下漏电流的变化及其非线性蜕变情况，研究了ZnO薄膜压敏电阻的性能稳定性。研究结果表明，采用多次蒸镀获得的ZnO多层膜，在200℃退火热处理后具有优秀的非线性压敏特性及优良的稳定性，在开发低电压、高非线性及小功率压敏电阻材料方面显示出很好的潜力与优势。 对不同ZnO压敏薄膜进行交流阻抗谱测试，了解ZnO薄膜中晶界及晶界层的电学性质，从理论上探索ZnO薄膜压敏电阻工作机理，寻找确立其传导模型，为薄膜型ZnO压敏电阻的有效设计开发提供一定的理论依据。