电沉积CoPt合金及低维TiO<,2>材料的结构转变研究

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纳米结构材料有着广阔的应用前景,同时,纳米材料的结构转变行为对材料的特性有着重要的影响,深刻理解并控制材料的结构转变是纳米材料实际应用中必须解决的关键问题。本文选择在磁记录材料领域具有潜在应用前景的CoPt合金薄膜和具有高效的光催化性能的TiO2纳米线和纳米粉体为研究对象,采用X射线衍射、透射电子显微镜和磁性测量等技术,研究了它们的结构转变。利用电沉积及后续退火的方法制备了A1+L10CoPt膜,研究了CoPt膜在退火条件下的微结构及磁性能的转变。结果表明,在650℃退火2.5 h后,软磁A1相含量为27 %,软磁相和永磁相L10相之间存在强的交换耦合作用,获得了Hc=14.2 kOe的较大矫顽力和Mr/Ms=0.88的较高剩磁比。采用多孔氧化铝模板,结合化学法制备了直径为20 nm的非晶TiO2纳米线。自由态非晶TiO2纳米线在600℃就发生晶型转变,而模板束缚态下的TiO2纳米线在900℃才开始转变。TiO2纳米线在氧化铝膜板束缚态下发生晶型转变的形核激活能为2.7 eV,长大激活能为2.8 eV,远远大于TiO2纳米粉体的形核激活能(1.9 eV)和长大激活能(1.6 eV)。晶型转变温度的提高是由于表面束缚抑制了晶型转变。
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