【摘 要】
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ZnO是一种新型的半导体材料,具有具有较大的禁带宽度(～3.37eV)和较大的激子结合能(约60meV),这些特点使得ZnO能够在光电领域广泛应用,从而引起了研究者广泛的兴趣。尤其是近年来,许多有关稀磁半导体方面的报道都称过渡金属掺杂ZnO有可能作为一种优良的材料在自旋电子学领域被应用,这更加使ZnO成为一种重要的有广阔应用前景的材料,从而也使ZnO成为更多研究者瞩目的焦点。本论文通过射频磁控溅射
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ZnO是一种新型的半导体材料,具有具有较大的禁带宽度(～3.37eV)和较大的激子结合能(约60meV),这些特点使得ZnO能够在光电领域广泛应用,从而引起了研究者广泛的兴趣。尤其是近年来,许多有关稀磁半导体方面的报道都称过渡金属掺杂ZnO有可能作为一种优良的材料在自旋电子学领域被应用,这更加使ZnO成为一种重要的有广阔应用前景的材料,从而也使ZnO成为更多研究者瞩目的焦点。本论文通过射频磁控溅射的方法,制备了ZnO薄膜,并对样品进行退火处理,通过XRD,SEM,TEM等测试手段分
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