ZnO基薄膜相关论文
光电探测器在导弹预警,空间探测,环境监测,火焰探测等诸多领域具有广阔的应用前景。氧化锌（ZnO）具有较低缺陷密度、较高饱和载流子迁......
随着光电子器件向低维度、多波段、集成化方向发展,多色光电探测器成为光学与电子信息领域中的研究热点。其中,紫外（UV）探测技术由于......
柔性紫外光电探测器由于其具有可弯曲、轻便、易携带等特性成为当今研究的热点。氧化锌（ZnO）基薄膜材料具备半导体性能、光激发、压......
第三代宽禁带(3.37 eV)半导体材料ZnO具有环境友好、缺陷密度低、抗辐射能力强等优点,被认为是制备紫外光电探测器的理想候选材料......
本论文主要以获得具有自陷光功能及优异光电性能的ZnO基光电玻璃及其制备工艺为宗旨,通过调节工艺参数制备优异光电性能的ZnO:Al(A......
随着电子器件向小型化和轻便化方向发展，柔性衬底的透明导电薄膜将成为硬质衬底透明导电薄膜的更新换代产品，柔性透明导电薄膜Zn......
ZnO具有较大的禁带宽度及激子束缚能,有望成为一种可靠的新型发光材料。对ZnO禁带宽度进行有效调控及提高ZnO基材料的发光效率,是......
本文利用溶胶－凝胶法制备出结构性能良好的ZnO基薄膜，对薄膜的透明导电性、紫外光电响应特性、紫外光照下气敏性能进行了研究，对相......
作为宽禁带氧化物半导体,ZnO有宽直接带隙、大激子束缚能和高电子饱和速度,被预期在低阈值室温激光器、高效率发光二极管和异质结......
大学物理实验对于培养学生的科研素质起着非常重要的作用,它可以使学生能在接近于实际科研的实验中不断提高自身的科研能力.如在实......
采用X射线反射法（XRR）测试了在SiO2玻璃衬底上磁控溅射沉积的单层ZnO基薄膜的反射强度,得到了反射强度随掠入射角变化的曲线;讨论了......
Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜太阳电池是在Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池基础上发展而来的新型化合物半导体光伏器件。由于CZTS不含有稀......
随着ZnO基薄膜和钙钛矿型异质结体系的广泛应用,针对该材料的研究日渐深入,应变作为调节材料物性的重要手段,在实际的薄膜制备过程......
ZnO是一种直接带隙半导体材料,通过掺杂Mg元素制备MgZnO三元合金,可使其探测区间向短波段延伸。针对ZnO基紫外探测器器件结构单一,......
伴随着便携性,可折叠性,可移植性等概念的兴起,柔性紫外探测器逐渐成为近年来的研究热点。ZnO材料同时具有半导体,光激发和压电三......
ZnO基薄膜是一种带隙可调的直接宽带隙半导体材料(室温下禁带宽度约3.37eV),通过对ZnO半导体薄膜掺杂Mg元素,能够合成MgxZn1-xO三......
薄膜材料是二维尺度的、具有特定性能和用途的材料，相关的薄膜技术是制备新型功能材料的有效手段。近年来，石墨烯、石墨烯基复合薄膜......
ZnO是一种六方晶体结构的直接带隙的半导体材料(禁带宽度为3.37 eV),具有缺陷密度低、环保、原材料分布广泛、抗辐射能力强、可在......
ZnO薄膜是一种直接宽带隙的半导体材料(室温下禁带宽度约为3.37 eV),具有环保、分布广泛、抗辐射能力强等优点。通过在薄膜中掺入M......
在室温下,ZnMgO薄膜材料的禁带宽度可在3.3eV～7.8eV范围内调节。又由于这种半导体材料分布广泛、制备方法多以及抗辐射能力强,因此,......
作为一种新型的Ⅱ-Ⅳ半导体材料，ZnO具有优良的光学和电学性能，在紫外光发射器件、自旋功能器件、气体探测器、表面声波器件等领域有......
