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MOSFET器件具有热稳定性好、安全工作区大等优点,所以很早就引起了人们的关注,但是随着器件尺寸的不断缩小,出现了很多负面效应,为了尽量减小甚至消除这些负面效应的影响,大多数人的注意力都集中到了改善界面质量和等效氧化物厚度上,可以通过使用钝化层和高k电介质达到上述目的。本论文利用自洽求解泊松-连续性方程理论模型,模拟了一种带有Si钝化层和高k氧化物层的金属-氧化层-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET）的电学特性。通过改变四个参数(In0.53Ga0.47As轻微N型掺杂、串联电阻、界面陷阱及沟道层内载流子迁移率),将模拟结果和实验对比,阐述其对器件性能的影响。研究的结果如下:（1）通过改变沟道层材料In0.53Ga0.47As的轻微N型掺杂这个参数以后的电学特性模拟数据和实验数据的对比,我们发现,In0.53Ga0.47As材料非故意轻微N型掺杂对器件的Ids-Vds曲线的影响是比较小的,可以忽略其作用;（2）通过添加施主类型界面陷阱这个参数以后的电学特性模拟数据和实验数据的对比,我们发现,添加了施主类型界面陷阱导致漏极电流增大;（3）通过考虑了源漏串联电阻这个参数以后的电学特性模拟数据和实验数据的对比,我们发现,由于串联电阻会导致漏极电流减小,那么只能用减小串联电阻的办法增大漏极电流,所以可以用增大电极板接触面积的方法减小串联电阻的影响;（4）通过考虑了沟道层中载流子迁移率这个参数以后的电学特性模拟数据和实验数据的对比,我们发现,沟道中载流子迁移率随着栅极电压的增大而增加,必须使栅压对应自己的迁移率,这样得出的电学特性模拟数据才准确。所以随着栅压的增加,最后导致漏极电流增大。（5）同时考虑以上四个参数,得到的模拟结果与实验数据非常吻合,表明本文模型是正确的。在四个参数中,源漏串联电阻和沟道层载流子迁移率的影响最大,这可以作为器件设计的重要依据。