高k电介质相关论文
在高k MOS器件中,铪基高k电介质的使用能减小栅电介质中的泄漏电流,但相对较高的缺陷密度则引起了较多的可靠性问题。为了提高高k......
“2007年l1月，英特尔量产高k电介质45nm微处理器”。它表明高k电介质／金属栅极技术已商业化。它可确保摩尔定律至少再延续10年。但是......
IBM技术联盟日前表示将采用东京电子（TEL）的高K电介质设备用于45nm技术研发。IBM技术联盟成员包括：AMD、特许、英飞凌及三星。TEL与IB......
GaN基功率器件由于其高的电子迁移率、大的电子饱和速度和高的击穿电场等优异特性在高压大功率领域有非常大的应用潜力。相比Si基......
半个多世纪以来，无机硅基半导体，特别是集成电路一直是微电子工业的脊柱。在摩尔定律的驱动下，集成电路的特征尺寸逐渐缩小，传统的硅基......
Si MOS晶体管进入nm尺度后,原来通用的栅极介电材料SiO2已不能适应纳米晶体管继续小型化的需要,必须用高k栅极电介质材料取而代之......
利用离子束增强沉积(IBED)技术在硅衬底上沉积得到50nm的二氧化铪薄膜。卢瑟福背散射(RBS)的结果指出样品表面有过量氧元素存在。X......
随着集成电路的飞速发展,作为硅基集成电路核心器件金属-氧化物-场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transisto......
