纳米半导体薄膜具有独特的结构和许多优异的光电性能，在新型光电器件、大规模集成电路等领域有广泛的应用前景。锗是应用较为广泛，最重要的元素半导体材料之一，研究Ge薄膜的制备工艺，微观结构及其性能，有助于指导其在高新技术中的开发和实际应用。 　　本文采用X射线小角衍射磁控溅射技术制备的Si/Ge多层膜，应用修正的布拉格公式，计算得到了薄膜的周期厚度，从而获得Ge、Si的沉积速率分别为：vGe=0.22nm/s，vsi=0.06nm/s。 　　采用磁控溅射技术制备了不同生长温度的Ge薄膜样品，用X射线衍射分析结果表明Ge的晶化温度在350～400℃之间。并研究了不同尺寸Ge颗粒的Raman散射谱特征，与晶体Ge的散射谱相比，观察到纳米Ge颗粒Raman散射谱的峰位红移与峰形宽化现象；并根据Raman谱的红移量计算了纳米Ge晶粒的平均尺寸。 　　研究了纳米Ge颗粒的室温光致发光特性，其峰位在1.68eV～1.81eV之间，并且随着纳米Ge晶粒尺寸的减小，光致发光峰的相对强度逐渐增强，且发光峰位发生蓝移。用有效质量近似模型讨论了量子尺寸效应和介电限域效应对纳米Ge颗粒发光特性的影响。