半导体量子点是一种准零维的纳米材料，其内部载流子在三个维度上均受限，它的态密度呈现分离状态，具有类似于原子的能级结构，通常被称为“人工原子”。由于其独特的物理特性，半导体量子点在量子信息科学中有广泛的应用前景。我们制备含有自组织生长的InAs/GaAs半导体量子点的n-i-肖特基器件，通过低温下的光学和电学测量方法研究了单个量子点一系列性质。主要研究成果有:　　1.利用低温微区共聚焦荧光显微系统，研究了电场和磁场作用下，单个量子点的荧光特性。在偏压调制下，量子点不同激子态的发光强度和能量得到了调制。通过施加竖直方向的磁场，观测到了量子点中激子能级的抗磁和Zeeman分裂现象。我们利用极化分辨光谱的方法测量了中性激子的精细结构劈裂，并结合电场和磁场的调控结果，确定了单量子点不同激子态的发光能量。　　2.在确定中性激子能量的基础上，我们对其进行了共振激发。固定激发光能量，利用量子限制Stark效应调节X0跃迁能量使其与激发光共振，从而得到了光电流。通过改变激发光能量，得到了光电流区域的Stark偏移。利用功率响应的光电流测量，通过对光电流谱峰值和线宽的分析得到了中性激子空穴和电子的隧穿时间分别为1.4ns和16ps。为以后进行相干操控打下了基础。