基于CoreConnect总线的SDRAM控制器设计与验证

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随着现代社会进入了信息化时代,各种各样的信息都得以快速发展,伴随而来的是数据的存储量越来越大,所以对存储芯片的要求也越来越高。大容量、高安全性的高速存储芯片已成为了时代发展的主流。SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存储器)凭借其集成度高、功耗低、可靠性高、处理能力强等优势成为最佳选择。但是SDRAM却具有复杂的时序,为了使其满足日益增长的存储需求,SDRAM存储器的控制芯片应运而生。虽然SDRAM控制器已经发展到了DDR4(Double-Data-Rate Fourth Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory,双倍速率的第四代同步动态随机存储器),但其设计复杂,成本较高。本文设计的SDRAM控制器正是为了解决这个问题。本文选择可编程逻辑器件中广泛使用的FPGA(Field-Programmable Gate Array,现场可编程门阵列),使用硬件描述语言Verilog,遵循自顶向下的设计思想实现对SDRAM控制器的设计。本文分析了SDRAM控制器的发展现状,确认其设计目标。通过分析CoreConnect总线中的PLB(Processor Local Bus,处理器局部总线)总线协议、DCR(Device Control Register Bus,设备控制寄存器总线)总线协议,以及SDRAM存储器的性能、特点、时序要求,设计出SDRAM控制器的各项性能指标、所需实现功能以及其时序要求。随后,对SDRAM控制器的各个模块进行详细设计。因PLB总线时序和SDRAM存储器的时序不同,故在接口转换单元采用大量异步FIFO(First Input First Output,先入先出队列)进行跨时钟域处理;在数据控制模块后设计了校验和错误检测模块,采取ECC校验和奇偶校验两种检验方式保证数据存储的安全性;采用片选空间的起始、结束地址可编程,SDRAM的行列、逻辑Bank可编程的设计方法提高本设计的适用范围。最后采用模块级验证和系统级验证两种方法对SDRAM控制器进行验证,通过对波形图的分析,本设计能够实现从PLB总线发送单拍、四字Line、八字Line、双字Burst、四字Burst操作到SDRAM存储器。通过大量的验证数据可得出结论:本文所设计的SDRAM控制器实现了从PLB总线向SDRAM存储器发送数据的基本功能。本设计的成本低、设计简单、占用资源少,其设计原理适用于同类SDRAM控制器,以及低成本的大容量存储器。
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