【摘 要】
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针对高功率AlGaAs/GaAs激光器有源区中非辐射复合中心的半加引起器件的退为这一主要原因,我们设计并研制了一种新结构的器件,基发射波长为808nm的AlGaAs/GaAs高功率量子阱远
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针对高功率AlGaAs/GaAs激光器有源区中非辐射复合中心的半加引起器件的退为这一主要原因,我们设计并研制了一种新结构的器件,基发射波长为808nm的AlGaAs/GaAs高功率量子阱远结激光器,通过将下层掺杂为p型实现p-n结和有源区的分离,利用p-n结处的高场区对可移动缺陷的吸引人用,将有源区中的可移动缺陷吸引到p-n结处,使有源区中的非辐射复合中心减少,表现为器件阈值降低,输出功率变大,器件的退化机制转变为p-n结的退化,从而来提高器件的可靠笥和使用寿命.对808nm氧化物条形AlGaAs/GaAs高功率量子阱激光器进行电导数测试和老化试验,确定器件快退化筛选判据,分析了电导数曲线和光导数曲线上的身与器件的可靠性关系,对快退化器件进行了深入的研究.
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