电解铜箔工艺条件及其添加剂的实验研究

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电解铜箔主要应用于PCB电路板,随着电子行业的发展,需求量日益增多,性能要求也越来越高,超薄、低轮廓铜箔具有广阔的发展前景。选择合理的工艺条件是生产优质电解铜箔的先决条件,添加剂则可以改变铜箔的物理性能,提高延伸率,降低粗糙度,满足各种用途和技术进步的需要。本文主要对电解铜箔的制备工艺条件进行了实验研究。在实际生产中,一般采用高温高电流密度,提高其生产效率。为与其相一致,探讨摸索实验室的工艺条件,在霍尔槽中,进行电解铜箔的电解沉积,从表观状态确定了温度和电流密度,同时进行了电化学循环伏安测试,研究添加剂主要作用机理,最后进行了正交设计实验,研究了添加剂对铜箔形貌组织及结构的影响。研究结论如下:空气搅拌、升高温度,可使电解的极限电流密度升高,而电流密度增大,可使铜箔晶粒细化,结晶致密。添加剂提高了电极电化学反应的极化,阻碍铜粒子的过分长大,使晶粒细小。正交实验得出的优化工艺条件为:在温度为50~55℃,电流密度为45~50A·dm-2下,空气搅拌,添加剂为羟乙基纤维素(HEC),60ppm;聚二硫二丙烷磺酸钠(SP),20ppm;硫脲(EU),0.5ppm;明胶(Glue),40ppm时,电解时间2min,得到双面光亮的铜箔,生成(200)晶面和排列紧密的(111)晶面。铜箔的平均厚度为13μm,单重为123.38 g·m-2,导电率90%IACS以上,Cu含量为96.90wt%。
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