压电晶体的压电效应和逆压电效应在科学技术领域得到了广泛的应用,压电晶体作为基片制备出的声表面器件因其优良的电性能,易于实现器件小型化,被广泛的应用于雷达,通讯,导航等。　　 具有化学通式为A3BC3D2O14硅酸镓镧结构的晶体是一类新型压电晶体材料,如La3Ga5.5Nb0.5O14、La3Ga5.5Ta0.5O14和La3Ga5SiO14晶体,已用于制备声表面波器件。与石英相比,它们具有高的机电耦合系数、较低的声表面波传播速度,是应用于小型化中频带宽滤波器设计的优选材料。由于它们的熔点高,在高温下声表面波特性稳定,是飞行器以及油井探测器关键设备研制的首选材料。然而,生长这一类晶体需要昂贵的原材料Ga2O3,若用其它廉价元素部分替代Ga元素,研究不同元素以及不同替代浓度对材料结构和性能的影响,在性能可控的范围内降低材料成本,不仅具有重要的理论价值,也具有广阔的技术应用前景。　　 本文主要从A3BC3D2O14类晶体基础理论和设计器件两个方面着手,为该类晶体的声表面波器件应用提供理论依据。主要内容包括以下三部分:　　 (1)采用基于密度泛函理论对A3BC3D2O14类晶体基态的几何结构、能带,态密度等进行了系统研究。　　 (2)计算A3BC3D2O14类晶体不同切型下对应的声表面波性质,其中包括声表面波自由相速度、机电耦合系数、能流角等,并优选出声表面波性能优良的切型,为制备声表面波器件打下理论基础。　　 (3)利用LGS晶体设计了一个滤波器,设计了其参数,分析其SAW频散特性,计算其频率响应特性。