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近年来,随着低维薄膜材料的发展与制备,并且由于其优异的物理性质,例如:石墨烯超高的电子迁移率,过渡金属硫化物、硼稀和黑磷等具有天然带隙的半导体,使之成为了人们研究的重点内容。伴随人类对新能源、环保材料、热电器件的需求日益增多,因此通过理论计算来探究如何提高这些薄膜材料的热电性质,为这些新型低维材料的热电性质在日常生活、工业应用、电子器件的应用提供良好的指导就显的非常有必要。由于对热能转换的需求,人们从来没有停止过对高品质因子(ZT)热电材料的寻找。有电子带隙的单层的过渡金属硫化物(TMD)MX2(其