光掩膜板是集成电路制造工艺的一个重要环节,随着集成电路设计工艺的发展,对掩膜板品质的要求也逐步趋向更为严格。光刻胶成像工艺在光掩模制造领域具有举足轻重的作用,通常来说百分之八十以上的工艺控制误差产生于这一步骤。诸如关键线宽尺寸误差、同一尺寸线宽在掩膜板上不同位置上的均一性分布误差、掩膜板图形成像及分辨率等,目前都已成为光刻和显影工艺所面对的重要挑战。此外,掩膜板品质不仅取决于曝光设备系统的状态、光刻胶材料,而且工艺条件的控制及优化也决定了光掩膜成品的质量。此时存在于光刻制造中的许多问题变得愈发突出,如电子束曝光系统的束斑尺寸大小的精确性、扫描进程中能量均一程度、不同扫描区间的位置拼接质量造成的器件尺寸和图形空间位置的误差,又如电子光学系统性能的不稳定以及工艺因素的影响加剧了图形连接的误差;电子束曝光散射造成的邻近效应使得图形分辨率难以提升、图形结构质量大幅度下降；细小结构图形的连接和崩塌现象也变得更为严重和越来越难以控制。本文系统研究了光掩模板的电子束光刻工艺,探讨了光刻设备性能维护的要求,研究了电子束束斑尺寸线性控制、扫描场内电子束偏转照射精度控制、以及扫描场内电子束聚焦优化控制三个指标对掩膜板光刻质量的重大影响。从线宽误差、场内及整体均一性误差、不同临界尺寸线性误差、图像位移误差,及图像边界粗糙度等角度,分析了其对光掩膜板关键质量的影响,进而提出了设备关键指标维护、光刻注入剂量、聚焦高度调整、光刻胶烘烤,以及显影条件的选取方法。提出了基于线宽测量的电子散射参数提取方法,根据该方法提取了常用电子束光刻胶在常用工艺条件下的电子散射参数,并在实际的邻近效应校正中取得较好的效果。最后,本文从与光刻胶显影工艺相结合的角度,讨论和研究了提高掩膜板图像解析度和改善整体线宽均一性。