氢能作为一种清洁和可再生的能源,在解决能源环境方面具有绿色和无污染的优势,受到广泛关注。光解水技术能够将太阳能转化为氢气,是有效利用和存储太阳能的理想方式。为了更好利用太阳光谱中43%的可见光,可见光响应的窄带隙材料吸引了广泛关注。其中,Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族硫化物量子点具有量子限域效应、比表面积大和可见光区消光系数高等独特优势,被广泛应用于光催化领域。然而,传统的Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族量子点光催化剂由于容易发生团聚、稳定性差而限制了其光催化性能。解决这些问题的途径之一是将量子点负载到超薄的二维纳米片上,形成0D/2D（零维/二维）纳米复合材料,两部分之间的相互作用可以使量子点更加均匀分散和稳定,而2D纳米材料可以从而促进电荷转移,有效改善量子点缺陷,抑制光生电荷的复合。目前,针对0D/2D光催化剂构筑的研究已经广泛被报道,但仍面临制备方法复杂、动力学研究不足等困难。本文主要以0D Zn-AgIn5S8（ZAIS）量子点为基础,开展了一系列0D/2D异质结构构筑和界面动力学调控研究,开发了量子点介导沉淀生长超薄Ni S纳米片、静电吸附构筑ZAIS/α-Fe2O3Z型光催化剂和碳点辅助促进ZAIS/Co9S8体系电荷传输等策略,来优化界面结构以及加快电子提取和转移,从而解决其电荷复合和稳定性差等问题。具体研究内容如下:（1）量子点介导沉淀法构筑0D/2D异质结构:利用量子点介导沉淀法制备了一系列0D/2D Zn-AgIn5S8/Ni S纳米复合材料,在Ni S和Zn-AgIn5S8量子点之间形成了紧密界面接触,在光照下表现出优越的光催化产氢能力。随着超薄2D Ni S纳米片的形成,最佳产氢速率为5.18 mmol g-1h-1,较纯量子点提高了11倍。Zn-AgIn5S8量子点受光激发产生的光生电子可以转移到具有丰富活性位点的Ni S纳米片上,从而有效地减少光生电荷的复合。同时,由于Ni S纳米片的超薄特性,最佳Ni S的负载量为7%,远高于常用的助催化剂,这些优点可归因于光生电荷的快速迁移和传输以及光屏蔽效应的降低。时间分辨荧光光谱测试观察到Zn-AgIn5S8发光寿命的显著下降,表明Zn-AgIn5S8的光生电子被有效地转移到Ni S上,为抑制电荷复合开辟了新的通道。（2）0D/2D ZAIS/α-Fe2O3 Z型光催化剂制备及动力学研究:通过静电吸附设计并合成了0D Zn-AgIn5S8量子点/2Dα-Fe2O3纳米片（ZAIS/α-Fe2O3）复合材料。经过优化,复合物的最大析氢速率达到1.7 mmol g-1 h-1,较纯量子点提高了3.5倍。荧光寿命与光电测试表明ZAIS/α-Fe2O3纳米复合材料形成了0D/2D异质结,电子空穴被有效地分离。通过电子自旋共振测试,在光照条件下ZAIS/α-Fe2O3检测到属于·O2-和·OH的自由基信号,证明了复合材料能够将O2还原为·O2-并且能把-OH氧化为·OH,说明ZAIS/α-Fe2O3 Z型异质结的成功构筑。这项工作提供了一种0D/2D Z型异质结复合材料的简单构建方法。（3）碳点辅助促进ZAIS/Co9S8电荷分离,:0D Zn-AgIn5S8量子点和碳点分步共修饰到三维中空Co9S8纳米管表面,并采用简单的水热法优化界面结合,以实现复合体系的高效电荷分离。瞬态光电压谱证明ZAIS/Co9S8/CDs复合材料中电子提取速率、电子提取量等参数明显优于Zn-AgIn5S8量子点,同时复合材料更高的表面电荷衰减常数也证明碳点在复合体系中具有电子储存的功能,能有效促进电荷分离。结果表明,优化过的ZAIS/Co9S8/CDs复合材料的产氢速率为3.64mmol g-1 h-1,比纯量子点提高了9.37倍。荧光光谱和光电化学测试也进一步证明了碳点具有促进电荷分离并储存光生电子的功能。这里碳点增强电荷转移动力学的阐明为开发高效的量子点光催化剂提供了一种新的简便方法。