HgCdTe窄禁带半导体材料由于具有一系列优良的性质,是目前制备红外探测器的首选材料。HgCdTe光导型器件由于其制备工艺简单,器件成本低,目前在许多领域仍有着广泛的应用。随着系统应用对红外探测器件性能指标要求的不断提高,对于红外器件的制备工艺要求也越来越高。对于HgCdTe光导器件而言,其制备工艺相对简单,主要包括材料减薄、表面钝化、器件微台面隔离和电极制备等几步关键工艺。目前器件之间的隔离主要采用离子束干法刻蚀工艺,相对于传统的湿法腐蚀工艺,该工艺具有刻蚀过程各向异性的特点,避免了湿法腐蚀各向同性导致的器件光敏元形状失真以及均匀性差等缺点。然而由于干法刻蚀用的离子具有一定的能量,因此会对HgCdTe材料形成一定的损伤,并且由于刻蚀过程中器件的温度会有所升高,这些因素都会影响材料的电学参数以及最终器件的光电性能。因此需要对干法刻蚀工艺对HgCdTe材料电学性质的影响进行评价,来选择优化的刻蚀工艺参数降低对材料的影响。本论文的主要内容包括:针对干法刻蚀工艺中的温度效应,在材料表面具有掩膜保护的条件下改变相关的工艺参数,研究不同条件下干法刻蚀对HgCdTe材料电学性质的影响,以此对刻蚀工艺的温度效应进行评估,并据此解释了流片过程中出现的异常结果。在常温和深低温下对HgCdTe材料进行了对比刻蚀,成功生长了能在深低温下充当刻蚀掩模的复合材料,代替了在深低温下变性开裂的光刻胶。首次在深低温环境下完成了HgCdTe光导器件的制备过程,并与常规制备的光导器件进行了性能上的比较,评估了刻蚀温度对材料电学参数和器件性能的影响。分析了作为粘合剂的环氧胶的化学成分和性质,摸索出了研制新器件所需要的去除环氧胶的新工艺,并对刻蚀环氧胶环节存在的问题进行了梳理。