本文系统地研究了Shipley光刻胶制作光栅掩模的曝光和显影过程,建立了掩模制作的曝光模型和显影模型。根据模型模拟了光栅掩模的最终槽形,与实验结果相比较证明了模型的正确性。主要研究内容包括:(1)通过台阶实验,研究Shipley光刻胶的特性,得到曲线拟合参数,根据这些参数模拟槽形并与实验结果比较,模拟结果与实验结果吻合。(2)为了有效的控制槽形,重点模拟并分析了曝光量,显影液的浓度、温度,显影时间,光刻胶种类对光栅掩模槽形的演化规律,特别是占宽比的变化情况,并与实验比较,模拟结果与实验结果吻合。在此基础上,总结了曝光和显影条件对槽形(主要是占宽比)的影响规律,从中找到控制槽形的方法。为制作符合要求槽形的光栅掩模,提供理论和方法上的指导。(3)改变光栅空频,槽形模拟与实验结果比较,得到当光栅空频增加到1000l/mm-2000l/mm时,用413.1nm光对Shipley胶进行全息曝光,全息曝光对应的光刻胶感光效率只有单光束曝光感光效率的80%。得到空频对槽形(主要是占宽比)的影响规律。(4)分别用413.1nm和441.6nm的激光对Shipley光刻胶曝光,在相同曝光量的情况下比较光刻胶对两种波长的感光灵敏度,模拟出槽形的变化规律。