近几年,自旋电子学在凝聚态物理中发展起来,并逐渐成为该领域重要的研究方向。理论研究最终都需要服务于实际应用,而自旋电子学在投入应用时需要满足一个重要条件——高效率的自旋极化(自旋电流)源。前人通过研究发现,传统的磁性金属产生的自旋注入流,在注入到半导体的过程中容易耗散掉。考虑到这一点,人们寻找到了一种新型材料——稀磁半导体,该材料即具有半导体的结构特性又具有金属的特点。将这种双重特性的稀磁半导体作为自旋注入流,才使得自旋电子学得以广泛应用。然而,为了应用的便利性,稀磁半导体需要在室温下获得自旋电子流。也就是说,获得室温铁磁性的稀磁半导体成为了现在研究的关键所在。哪些稀磁半导体具有室温下的铁磁性?怎样提高铁磁性稀磁半导体的居里温度?这些问题都值得探讨和研究。本论文就是用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究一些磁性体系里居里温度提高的方法以及电子结构特征。具体内容有:ZnSe体系共掺杂实现铁磁性;形变提高体系的居里温度;同一体系下双交换、p-d交换机制的竞争;不同计算方法对于体系形变的影响;形变对于不同类型薄膜结构的影响。第一章绪论主要介绍课题的研究背景;第二章为理论方法与模型的介绍;第三章是形变引起ZnSe体系铁磁性的研究;第四章是形变对于GaAs薄膜的磁性影响研究;最后第五章是总结和展望。