【摘 要】
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该文着重研究了SiC MOS集成电路的关键工艺技术,分析了SiC CMOS反相器的特性与工艺,建立了6H-SiC CMOS反相器的电路结构和物理模型,并利用MEDICI软件对其特性进行了模拟.研究
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该文着重研究了SiC MOS集成电路的关键工艺技术,分析了SiC CMOS反相器的特性与工艺,建立了6H-SiC CMOS反相器的电路结构和物理模型,并利用MEDICI软件对其特性进行了模拟.研究了温度和电路结构参数对SiC CMOS反相器电路特性的影响,结果表明,在300K到700K的温度范围内反相器可以正常工作.室温下沟道长度为1.5μm的6H-SiC CMOS反相器的阈值电压、高电平噪声容限和低电平噪声容限分别为1.657V、3.156V和1.470V,且随着温度的升高而减小.研究得到了SiC MOS电路的制作工艺流程和工艺条件,进行6H-SiC NMOS反相器电路的制作试验.
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