异质结是由两种不同半导体材料形成的结,具有很多同质结所没有的优良特性,近年来利用异质结制作电子器件受到很大重视,而基于金属氧化物的异质结器件的研究成为当前研究的热点。ZnO和NiO作为具有代表性的光电薄膜材料,受到了极大关注。　　 本文利用脉冲激光沉积(PLD)法,制备了优良的ZnO、NiO薄膜,并对基于ZnO、NiO的异质结器件的制备及器件的特性进行了研究。　　 首先,我们利用脉冲激光沉积法在Si衬底上,在不同衬底温度、氧压等条件下制备了一系列ZnO和NiO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)等表征手段,对在不同工艺条件下制备的ZnO、NiO薄膜样品进行表征分析,得到了制备高质量薄膜的最佳工艺条件。　　 之后,我们利用PLD法制备了n-ZnO／p-Si异质结和p-NiO／n-Si异质结,p区和n区均利用电子束沉积的方法制备了电极,通过XRD、AFM对所制备的异质结进行表征,并利用半导体参数测试仪对异质结器件的伏安特性(Ⅰ-Ⅴ)进行了测试,Ⅰ-Ⅴ特性曲线表明,异质结均表现出良好的整流特性,n-ZnO／p-Si异质结具有明显的光伏特性,p-NiO／n-Si异质结具有一定的光电响应特性。　　 我们还利用PLD法制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜,并制备了p-Cu2ZnSnS4／n-Si异质结和基于ZnO基础上的p-Cu2ZnSnS4／n-ZnO异质结,并沉积了电极,通过XRD、AFM对异质结进行表征,研究了异质结器件的伏安特性,结果表明,所制备的异质结器件具有良好的整流特性和一定的光电特性。