随着经济的发展和社会的进步,工业生产需求量大幅增加,环境污染问题日也趋严重。对环境中有毒、有害气体的检测可以及时发现环境安全隐患,为国民健康安全提供有力的保障,避免规模化社会危害。在各类纷繁的传感器中,气体传感器具有设计成本低、便携性好、操作简便等优势,在气体监测领域极具研究价值。随着纳米技术的日趋成熟,为气敏材料的设计与制备提供了更多的可能。本论文以p型金属氧化物为研究对象,针对其工作温度高、气敏响应低等不足,通过对其微观形貌及表面电子的调控,构建新型气敏传感器,探究其在气体检测中的应用潜力,深入探讨传感增敏机制,掌握调控气敏性能的方法规律。主要研究工作如下:1.氧缺陷可控的氧化钴（Co3O4）多孔纳米片的制备及其气敏性能应用研究通过一种简单而有效的水热法合成中间体,再进行退火处理得到多孔Co3O4纳米片。研究发现,该材料表面的氧空位浓度可以通过控制退火温度进行有效调控,新颖的介孔结构和独特的表面电子结构的协同效应最终导致传感器性能显著提升。该工作为合理设计具有独特形貌和氧空位的p型半导体金属氧化物气敏材料提供了一条有效途径。2.W掺杂的NiCo2O4空心多孔微球的制备及其气敏性能应用研究基于第一项工作的启发,大的比表面积以及丰富的氧空位是提升p型半导体金属氧化物气敏性能的关键,因此,第二项工作以甘油酸酯为自模板控制合成掺杂高价W元素的多孔空心Ni Co2O4纳米结构。通过调节W元素的掺杂量,实现对原始材料表面电子结构及其氧空位浓度的精准调控。空心结构的存在有利于气体传质过程,丰富的氧空位提升了材料对目标气体分子的亲和性,最终实现气敏传感性能的提升。综上,本文通过对p型半导体金属氧化物的形貌调控和表面电子调控改善了其工作温度高、固有气敏响应低等问题。利用比表面积大活性位点多和氧空位丰富的协同效应实现对气敏性能的大幅提升,为设计新型p型半导体金属氧化物气敏材料提供了新的思路和途径。