近年来,随着脉冲功率技术的快速发展,电子枪、粒子束加速器、弹道导弹系统和大功率微波源等脉冲功率设备得以不断实现研发应用。储能部件作为脉冲功率系统的重要一环,一直限制着脉冲功率设备的发展。因此,如何实现储能材料的高储能、高功率、快速充放电特性成为学术界和工业界亟需解决的问题。本实验通过复合、掺杂和调比例的方法对PLZST基反铁电陶瓷的本征材料特性进行改性研究。此外,探究块材、流延膜片两种成型样品及等静压处理流延膜片厚度对储能特性的影响。旨在通过不同的研究方法优化材料储能及介电特性,为进一步研究PLZST基反铁电陶瓷提供新途径,具体实验结果如下:（1）研究Zr:Sn比对PBLZST陶瓷储能特性的影响。实验结果表明,Sn⁴⁺含量的增加促使晶粒细小化且有助于反铁电相的稳定,从而促使PBLZST陶瓷相转变场强度及耐压强度提升,进而实现最大有效储能密度为1.94 J/cm³。此外,在本实验中,Ba²⁺的少量掺杂及Sn⁴⁺增加对反铁电相的稳定作用,促使该体系陶瓷普遍具备较高储能效率且平均储能效率达到80%以上。这些相对优异的性能表现证实了该体系材料具备应用于脉冲储能部件的潜力。（2）通过高极化四方相PLZST陶瓷与高相转变场强度正交相PLZST陶瓷的两相复合,实现两种相结构陶瓷的优势互补,从而优化储能特性。此外,膜片厚度及样品种类（块材、厚膜）对陶瓷储能特性的影响也得到一定研究。结果表明,由于工艺参数及样品厚度误差影响,厚膜样品相较于块材样品,更易实现高耐压,从而保证陶瓷表现出饱和极化。因此,往往表现出更为优异且稳定的储能特性。正交相PLZST陶瓷的复合显著提升四方线PLZST陶瓷的相转变场强度。对于四层等静压膜片,最大有效储能密度W_re可达3.18 J/cm³。而两层等静压膜片由于缺陷的减少具备更高的耐压,最大有效储能密度W_re为3.44 J/cm³。（3）SrTiO₃作为量子顺电体材料,具备较高介电常数（>300）及耐压强度,且拥有极高的储能效率。本章通过PLZST基反铁电材料与SrTiO₃进行复合及掺杂,实现高储能效率的目的。结果表明,SrTiO₃复合量的增加促使复合陶瓷在室温下的电滞回线出现从反铁电体向驰豫铁电体过渡的趋势,储能效率得到显著提升。在复合量为0.05时,最大有效储能密度为1.6 J/cm²,储能效率为83.85%。此外,固定SrTiO₃引入量,复合法相对于掺杂法得到的陶瓷性能各方面表现更优。