低噪声放大器(LNA)位于射频接收前端的第一级，它的噪声特性将大大影响整个射频接收系统的噪声性能。然而已有的LNA噪声优化方法中没有考虑栅极寄生电阻产生的热噪声对LNA噪声性能的影响，因此，本文主要研究当考虑栅极寄生电阻和栅-源额外电容时，共源共栅源极电感负反馈CMOS LNA的噪声系数优化方法。　　 本文通过分析LNA的结构，基于LNA的噪声性能及CMOS工艺的考量，选择了共源共栅源极电感负反馈结构作为LNA的基本结构，然后根据噪声理论，建立其高频小信号等效噪声电路模型，最后对小信号模型进行分析，利用二端口噪声理论，推导出噪声系数的统一数学表达式。　　 在恒增益、恒功耗以及恒增益恒功耗下对LNA的噪声系数进行优化，并且与以前提出的方法进行比较，最后在ADS中搭建小信号电路，对噪声系数的三种优化方法进行验证仿真。　　 本文完成了基于恒功耗下的2.4GHz0.18um CMOS LNA的电路设计，采用ADS进行仿真。仿真结果为：S11=-22.345dB，S12=-33.994dB，S21=22.749dB，S22=-9.762dB，nf(2)=0.512dB。仿真结果表明，本文所设计的LNA性能良好，是一个成功的设计。