V₂O₅中存在广延的通道,该通道作为流通渠道提高了Li⁺的传输速率,并具有良好的储存性能,使其作为电致变色玻璃离子储存材料具有广泛的应用。制备方法对材料结构与性能有较大影响,本论文分别采用磁控溅射法与溶胶凝胶法在ITO玻璃表面制备V₂O₅离子储存层。磁控溅射法工艺中主要研究了溅射时间、退火温度等条件对V₂O₅离子储存层结构与性能的影响。通过溶胶凝胶法制备V₂O₅多孔膜,采用响应面分析法探究热处理温度、PEG（聚乙二醇）添加量和薄膜层数对V₂O₅多孔膜离子储存量的相互影响效果。最后,通过溶胶凝胶/磁控溅射复合法制备V₂O₅多层次薄膜,对比分析了V₂O₅多层次薄膜和V₂O₅多孔膜的结构与性能,并讨论了Li⁺传输动力学。磁控溅射工艺中,当溅射时间由2 h增加至5 h时,沉积在ITO玻璃上V₂O₅薄膜的晶粒数目增加,并且溅射时间为4 h时薄膜表面晶粒比3 h时有了显著性地增加;当退火温度由300℃升高至400℃时,薄膜中V₂O₅晶粒分布均匀,排列致密,结晶化程度良好,当温度为450℃时,薄膜中V₂O₅晶粒均匀性和结晶性变差。当溅射时间4 h、退火温度400℃、退火时间4 h时,V₂O₅薄膜的离子储存量由22.796 m C/cm²增加至26.312 m C/cm²,可见光透过率为85.68%。采用溶胶凝胶法制备V₂O₅多孔膜,随着PEG（聚乙二醇）添加量的增加,V₂O₅多孔膜表面孔洞的尺寸和数目发生了较大变化;随着薄膜层数增加,多孔膜可见光透过率由92.33%降低至76.12%,储存量由23.121 m C/cm²增加到29.252m C/cm²。响应面实验结果表面对V₂O₅多孔膜离子储存量影响因素的显著性顺序为:薄膜层数>添加量>热处理温度;预测优化工艺参数为PEG（聚乙二醇）添加量5.64 g、热处理温度273.49℃、薄膜层数2.33层,此时离子储存量可达30.635 m C/cm²,可见光透过率为81.77%。通过溶胶凝胶/磁控溅射复合法制备V₂O₅多层次薄膜,50次循环实验的结果表明,V₂O₅薄膜、V₂O₅多孔膜和V₂O₅多层次薄膜的储存容量依次降低了11.04%、8.46%、7.01%,采用复合方法制备多层次薄膜可提高循环稳定性。V₂O₅多层次薄膜的离子储存量为28.796 m C/cm²,分别较V₂O₅薄膜和V₂O₅多孔膜提高了13.32%和3.63%。