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该文系统研究了基本耐压结构,提出了新结构,建立了电势和电场分布,以及击穿电压的析模型,使用SIMOX材料设计并制造了两种薄膜SOI功率MOSFET和LIGBT.
用于功率集成电路的薄膜SOI功率器件的研究
【摘 要】
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该文系统研究了基本耐压结构,提出了新结构,建立了电势和电场分布,以及击穿电压的析模型,使用SIMOX材料设计并制造了两种薄膜SOI功率MOSFET和LIGBT.
【机 构】
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西安交通大学
【出 处】
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西安交通大学
【发表日期】
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1999年期
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