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ZnO和SnO2作为宽禁带化合物半导体材料,在透明导电薄膜领域得到了广泛的研究和应用。众多研究表明,ZnO薄膜存在表面和晶粒间界氧吸附导致电学性能下降及SnO2薄膜难以刻蚀等问题极大的限制了两种薄膜的应用范围。因此,为了拓宽薄膜的应用领域、集成ZnO和SnO2薄膜二者的优点,论文研究制备了ZnO@SnO2包覆透明导电薄膜,这将有利于进一步提高透明导电薄膜的研究和应用。本论文以溶胶-凝胶法为基础,采用二步成胶工艺制备ZnO@SnO2包覆结构粉体和透明导电薄膜,并对Al、Sb微量掺杂ZnO@SnO2透明导电薄膜进行了探索研究。论文首先以溶胶体的相关性质为依据,阐述了二步成胶工艺原理及ZnO@SnO2包覆机理。其次,结合XRD、XPS测试对ZnO@SnO2粉体包覆结构进行分析,结果表明SnO2通过与ZnO发生键合反应生成Sn-O-Zn化学键而实现包覆,且在Zn/Sn为8/12、退火温度为550℃时包覆效果较好。第三,应用正交设计思想,结合XRD、AFM、SEM、四探针仪和可见光分光计等对所制备ZnO@SnO2透明导电薄膜结构和光电性能分析结果进行工艺条件的优化,结果表明具有高透过率、低方块电阻的ZnO@SnO2透明导电薄膜的优化工艺条件为:Zn/Sn摩尔比为9/12、老化时差为28h、薄膜厚度为7层、退火温度为500℃,其中二次成胶时溶胶老化时间为12h;同时论文还讨论了Zn/Sn摩尔比、退火温度、薄膜厚度对薄膜透明导电性能的影响并分析相关机理,结果表明ZnO@SnO2透明导电薄膜在优化工艺条件下可见光透过率达83%;方块电阻为112Ω/□。最后对Al、Sb微量掺杂进行了初步的实验研究,结果表明Al掺杂浓度为2at%时薄膜方块电阻为98Ω/□,可见光平均透过率为84%;Sb掺杂浓度为3at%时薄膜可见光透过率达到75%,方块电阻为97Ω/□。